MRF8S18260HR6 MRF8S18260HSR6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=30Vdc,IDQ
= 1600 mA, 1805--1880 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
260
?
W
IMD Symmetry @ 100 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
21
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
64
?
MHz
Gain Flatness in 75 MHz Bandwidth @ Pout
=74WAvg.
GF
?
0.4
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.011
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
(1)
?P1dB
?
0.01
?
dB/°C
1. Exceeds recommended operating conditions. See
CW operation data in Maximum Ratings table.
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